Объемное вторичное излучение в конденсированных диэлектрических средах, возбуждаемое лазерами

Обнаружено, что при возбуждении вторичного излучения в широкозонных полупроводниках, находящихся при температуре кипения жидкого гелия, непрерывным гелий-неоновым лазером, длина волны генерации которого соответствует области прозрачности исследуемых материалов, наблюдается антистоксова фотолюминесценция образцов. При возбуждении вторичного излучения аргоновым лазером и лазером на парах меди фотолюминесценция образца обнаружена не только в широкозонных полупроводниках, но и в ряде конденсированных диэлектриков как при низких температурах, так и при комнатной температуре образца.