| 
Электрооптические характеристики светоизлучающего диода с периодически структурированным контактом
| Авторы: Барабаненков М.Ю., Ковальчук А.В., Полушкин Е.А., Сироткин В.В., Холопова Ю.В., Шаповал С.Ю. | Опубликовано: 24.02.2014 |
| Опубликовано в выпуске: #2(33)/2009 | |
| DOI: | |
| Раздел: Физика | |
| Ключевые слова: люминесценция, дифракционная решетка, светодиод | |
Приведены результаты измерений электрических и оптических характеристик для InGaN/AlGaN/GaN/Al2O3 светодиода с периодически структурированным p-контактом. Показано, что применение такого контакта увеличивает КПД светодиода как минимум на 8%, позволяет получить плоский фронт и изменять значение критического угла для выводимого излучения за счeт приложенного к электроду-решетке напряжения. Показано, что применение дифракционной решетки в качестве p-контакта изменяет вольт-фарадную характеристику и значительно уменьшает значение высокочастотной емкости.
