Третья специализированная выставка нанотехнологий и материалов - page 3

Первый круглый стол собрал представителей научной общественно-
сти, предоставивших свои доклады на тему “Современное инновацион-
ное образование и исследования в области нанотехнологий”. В частности,
выступление заведующего кафедрой микроэлектроники МИЭТ профессо-
ра С.П. Тимошенкова касалось вопросов развития наносистемной техники
(НСТ). Согласно аналитическим исследованиям, рынок НСТ-средств раз-
вивается быстрыми темпами и стабильный спрос на изделия обеспечен на
ближайшие десятилетия в различных отраслях, в том числе транспортной
и телекоммуникационной. Отмечалось, что сложные технологические си-
стемы на основе НСТ активно применяются в оборонной промышленности
(например, для производства высокоточного оружия, средств бесконтактной
идентификации, систем контроля и управления доступом), поэтому инве-
стирование в развитие НСТ-сферы — стратегически важный вопрос для
обеспечения безопасности государства и развития собственных вооружен-
ных сил.
Доклад руководителя учебно-научного центра “Зондовая микроскопия
и нанотехнология” МИЭТ профессора В.К. Неволина был посвящен много-
аспектному применению полифункциональных наноэлектронных компонен-
тов на основе зондовых нанотехнологий. Интернациональный проект “НА-
НОФАБ” по проведению исследований на оборудовании ряда стран, инте-
грированном в единый высокотехнологичный комплекс, является одним из
ярких примеров успешного международного сотрудничества России с веду-
щими мировыми наноиндустриальными державами в сфере НТНМ.
В выступлении заведующего лабораторией радиационных методов, тех-
нологии и анализа МИЭТ профессора Н.Н. Герасименко были подробно рас-
смотрены вопросы формирования наноструктур ионными пучками (ИП).
Полученные методом ИП-синтеза Si–Ge квантово-размерные (КР) струк-
туры демонстрируют КР-эффект в рамановском спектре рассеяния и при
люминесценции, что позволяет использовать получаемую наукоемкую нано-
продукцию в оптоэлектронных системах связи. Информация Федерального
информационно-аналитического центра “Нанотехнологии и наноматериалы”
включает в себя не только научные статьи и сведения о конференциях, но и
аналитические материалы (например, обзор нанотехнологий для применения
в аэрокосмической отрасли).
Темой доклада А.Н. Белова (кафедра материаловедения и физической хи-
мии МИЭТ) были низкотемпературные (НТ) процессы формирования твер-
дотельных структур для нано- и оптоэлектроники и НТ-технологии созда-
ния наноструктур на основе пористых материалов. Среди представленных
разработок — анодные оксиды алюминия и титана, матрицы для ориентиро-
ванного роста углеродных нанотрубок, пористые полупроводники (Si, GaP,
GaAs), солнечные элементы с экстремально тонкими поглощающими слоя-
ми, нанолитография (зондовое наноокисление) и электрохимический синтез
нитевидных нанокристаллов.
Основные тенденции развития кластерного оборудования для НТНМ бы-
ли рассмотрены в выступлении директора по производству ЗАО “НТ-МДТ”
В.В. Котова. (Это предприятие имеет представительства в США и Европе
и реализует нанопродукцию практически в сорока странах мира.) Подчер-
кивалось, что современный нанотехнологический кластер является много-
уровневой полифункциональной структурой, включающей в себя, в частно-
сти, интеллектуальные осветительные системы на базе ярких светодиодов,
контрольно-измерительное и метрологическое нанотехнологическое обору-
дование, нанодисперсные формы и модификаторы для производства новых
материалов с уникальными свойствами, сенсоры на базе гибридов систем
118
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2007. № 4
1,2 4,5,6,7
Powered by FlippingBook